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ITC終裁英諾賽科勝訴 國(guó)產(chǎn)GaN功率器件贏得美國(guó)市場(chǎng)準(zhǔn)入權(quán)
作者:氮化鎵代理商 發(fā)布時(shí)間:2026-05-23 13:12:09 點(diǎn)擊量:
2026年5月8日,美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)就備受業(yè)界關(guān)注的第337-TA-1414號(hào)調(diào)查作出最終裁定,英諾賽科(Innoscience)在涉及其氮化鎵(GaN)功率器件的專利訴訟中取得全面勝利。ITC全體委員一致認(rèn)定,英諾賽科當(dāng)前在美國(guó)銷售的全部GaN功率器件產(chǎn)品,未侵犯英飛凌(Infineon)主張的兩項(xiàng)核心專利。這一裁決徹底掃清了英諾賽科產(chǎn)品在美國(guó)市場(chǎng)的準(zhǔn)入障礙,確認(rèn)了其繼續(xù)在美國(guó)進(jìn)口和銷售的合法權(quán)利。

ITC的裁定明確,英諾賽科的現(xiàn)有產(chǎn)品未侵犯英飛凌的美國(guó)第9,070,755號(hào)專利(涉及電極設(shè)計(jì))和第9,899,481號(hào)專利(涉及封裝設(shè)計(jì))。委員會(huì)僅認(rèn)定,第9,899,481號(hào)專利中的兩項(xiàng)權(quán)利要求有效,但僅被英諾賽科早已停止生產(chǎn)和銷售的歷史舊產(chǎn)品所侵權(quán)。因此,與此相關(guān)的有限排除令對(duì)英諾賽科當(dāng)前及未來(lái)的美國(guó)業(yè)務(wù)“不具有實(shí)質(zhì)影響”。
此次勝訴不僅是英諾賽科一家的勝利,更是中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球知識(shí)產(chǎn)權(quán)博弈中的一次關(guān)鍵突破。它有力證明了英諾賽科的技術(shù)源于獨(dú)立自主的研發(fā)與創(chuàng)新,而非簡(jiǎn)單的模仿。ITC的終裁挫敗了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手試圖通過(guò)訴訟手段限制合法競(jìng)爭(zhēng)的企圖,為國(guó)產(chǎn)GaN器件在美國(guó)乃至全球市場(chǎng)的拓展鋪平了道路。
裁決為功率半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)確立了清晰基調(diào),市場(chǎng)的未來(lái)應(yīng)由更優(yōu)的性能、更高的效率來(lái)決定,而非無(wú)端的法律纏斗。隨著英諾賽科繼續(xù)穩(wěn)定地向全球客戶供貨,此次勝利將增強(qiáng)下游客戶采用國(guó)產(chǎn)高性能GaN方案的信心,進(jìn)一步推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在快充、數(shù)據(jù)中心、新能源等領(lǐng)域的普及。
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